据韩国媒体报道，三星电子已于本月初在其华城园区引入首台ASML生产的“高数值孔径（NA）极紫外（EUV）光刻设备（High NA EUV）”——EXE:5000，价值高达5000亿韩元（约25.01亿元人民币），而且全球只有ASML公司供应。

据悉，三星电子3月初已在其韩国华城园区引进下一代半导体光刻设备“高数值孔径（NA）极紫外（EUV）光刻设备（High NA EUV）”——EXE:5000。High NA EUV是实现2nm以下超精细电路的必备设备，通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径（NA）从0.33提升至0.55，显著提高了光刻精度。这被解读为三星电子提高2nm以下工艺完善程度的举措。

三星电子自去年以来一直对High NA EUV设备进行工艺应用评估，据称计划将其用于2nm以下的下一代半导体工艺。

High NA EUV被视为2nm以下的下一代代工工艺的必备设备。全球半导体公司也纷纷竞相引入High NA EUV。据悉，英特尔已签署购买共六台设备的合同，其中包括2023年交付的首台设备。台积电近期也引进了设备，加速2nm工艺的导入。

据市调机构TrendForce统计，台积电去年第四季晶圆代工市场份额为67.1%，较上年第三、四季度分别上升2.4个百分点。另一方面，三星电子在市场上陷入困境，同期从9.1%下跌1个百分点至8.1%。