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  • 开关二极管

    [开关二极管]

    开关二极管

    2023-03-01

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          开关二极管,是半导体二极管的一种,是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短,常见的有2AK、2DK等系列,主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。

  • 肖特基二极管

    [肖特基二极管]

    肖特基二极管

    2023-03-01

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          肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

  • 稳压二极管

    [稳压二极管]

    稳压二极管

    2023-03-01

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          稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。   此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。

  • 快恢复二极管

    [快恢复二极管]

    快恢复二极管

    2023-03-01

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          快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。

  • 三极管

    [普通三极管]

    三极管

    2023-03-02

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    三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。

    三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

  • 双三极管

    [双-三极管]

    双三极管

    2023-03-02

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          三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
    三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

  • 沟槽型场效应管

    [沟槽型场效应管]

    沟槽型场效应管

    2023-03-02

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          沟槽式场效应管TrenchMOSFET是现在比较常用的金属-氧化物半导体场效应晶体管。因其具有低导通电阻、低栅漏电荷密度的特点,所以功率损耗低、开关速度快。

  • 屏蔽栅沟槽型场效应管

    [屏蔽栅沟槽型场效应管]

    屏蔽栅沟槽型场效应管

    2023-03-02

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           屏蔽栅场效应晶体管(shieldedgatetrench,SGT),由于其具有较低的栅漏电容cgd、很低的导通电阻、以及较高的耐压性能,进而更有利于半导体集成电路的灵活应用。具体而言,在屏蔽栅场效应晶体管中,通过在栅电极的下方设置屏蔽电极,从而可以大幅降低了栅漏电容,并且屏蔽栅场效应晶体管的漂流区中还具有较高的杂质载流子浓度,能够为器件的击穿电压提供额外的益处,相应的可以降低导通电阻。

  • 平面型场效应管

    [平面型场效应管]

    平面型场效应管

    2023-03-02

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          场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

  • 超结场效应管

    [超结场效应管]

    超结场效应管

    2023-03-02

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    超结场效应管(superjunctionfet,简称SJ FET)是一种具有特殊结构的超导材料。在室温下,它具有与普通金属一样的导电特性,但它的电阻率却比普通金属小得多;而且当温度升高时,它的电阻率反而下降。这种特殊的结构使它能像普通半导体一样工作于高温环境。由此材料制成的场效应管即为超结场效应管

  • CMOS 电源稳压器LDO

    [CMOS 电源稳压器LDO]

    CMOS 电源稳压器LDO

    2023-03-02

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          低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器,它与三端稳压器最大的不同点在于,低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制,芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet,肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路,并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。pg是新一代ldo,具各输出状态自检、延迟安全供电功能,也可称之为power good,即“电源好或电源稳定”。 低压差线性稳压器通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比(psrr,powersupplyrejectionratio)。

  • 升压DC/DC控制器

    [升压DC/DC控制器]

    升压DC/DC控制器

    2023-03-02

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          DC/DC,表示的是将某一电压等级的直流电源变换其他电压等级直流电源的装置。DC/DC按电压等级变换关系分升压电源和降压电源两类,按输入输出关系分隔离电源和无隔离电源两类。例如手机应用电路中,通常需要通过升压电路来驱动闪光灯模组得 LED 或者 就是显示屏背光得 LED,并且通常可以根据不同情况下得需求,调节 LED 得明暗程度。

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