屏蔽栅场效应晶体管(shieldedgatetrench，SGT)，由于其具有较低的栅漏电容cgd、很低的导通电阻、以及较高的耐压性能，进而更有利于半导体集成电路的灵活应用。具体而言，在屏蔽栅场效应晶体管中，通过在栅电极的下方设置屏蔽电极，从而可以大幅降低了栅漏电容，并且屏蔽栅场效应晶体管的漂流区中还具有较高的杂质载流子浓度，能够为器件的击穿电压提供额外的益处，相应的可以降低导通电阻。