近日，珠海华芯微电子有限公司（以下简称“华芯微电子”）首条6寸砷化镓晶圆生产线正式调通，并生产出第一片6寸2um砷化镓HBT晶圆，将于2025年上半年实现大规模量产。

该晶圆具备高增益、高效能的特性，可应用于先进5G Phase 7/8手机功率放大器模组以及Wi-Fi 6/7等设备。

华芯微电子于2023年在珠海高新区成立，其格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目是广东省重点项目、珠海市产业立柱项目。

该项目自开工建设以来，在广东省、珠海市、珠海高新区以及合作伙伴的大力支持下，华芯微电子与格力集团等项目设计、建设单位密切配合，瞄准节点、高效推进、合力攻坚，仅用184天便完成项目主体封顶，180天完成设备移入安装和二次配工程、90天完成设备调试和生产线通线。

8月3日上午，格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式举行。当时消息显示，格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元，该项目预计今年11月竣工验收并工艺通线、2025年上半年实现大规模量产。

格创·华芯砷化镓晶圆生产基地项目以化合物半导体晶圆代工技术创新主导，致力于打造具有国际领先水平的化合物半导体工艺平台，全力协助国内企业实现射频芯片国产化制造，成为中国最大的射频晶圆代工厂，推动射频科技自立自强。

*免责声明：以上内容转载至半导体行业圈微信公众号，不代表本公司的观点和立场，仅供交流学习之用。如有任何疑问或异议，请与我们联系。