据《朝鲜新闻》报道，一名三星电子前工程师因涉嫌挖角三星的半导体核心技术人才，加上向中国公司泄漏20纳米DRAM内存芯片技术，遭逮捕并移送检方。

韩联社报道，首尔警察厅产业技术安全侦查队今天指出，64岁三星电子前工程师因涉嫌违反"职业安定法"被捕，并移送首尔中央地方检察厅。

据报道，该男是三星电子前员工，被指控在2018年经营一家未注册的人力资源机构并收取经济补偿，以至少2至3倍的优渥薪资挖角三星电子核心技术人才，协助在中国"复刻"动态随机存取内存（DRAM）工厂，并于2022年4月成功生产半导体晶圆。这座DRAM工厂从完工到投产仅费时1年3个月。 一般来说，晶圆从测试到量产通常需要4至5年。同时该男子注册机人力资源机构还安排三星电子和海力士工作的关键半导体人员跳槽到国外公司，这一国外公司是三星电子前董事总经理、海力士半导体副总裁崔振锡创立的公司。崔振锡目前因涉嫌通过该公司向国外泄露 30 纳米以下 DRAM 制造工艺而被捕，该工艺是一项韩国国家关键技术，由三星电子独立开发。崔振锡还因窃取三星电子半导体工厂蓝图并试图建立“三星电子克隆工厂”而被捕。

韩国警方提到，外流技术的经济价值高达4.3万亿韩元（约30.4亿美元），若考虑相关经济效益，实际损失规模更加庞大。

除了这名前工程师，还有以相同手法挖角韩国半导体人才的2位猎头公司代表及法人被移送法办。据悉猎头公司已挖角逾30名技术人员。

尽管韩国国家关键技术外流，警方只能根据刑责较轻的「职业安定法」、而非「产业技术保护法」来逮捕涉案嫌犯。警方解释，根据现行法规，以「挖角」方式外流技术的行为不属于「产业技术保护法」规定的惩处范围，因此有必要针对相关法律进行修法，以严惩商业间谍。

报道指，包括前三星电子工程师在内，此次技术外泄案共有21人遭移送法办。

成都高真创办人、三星电子前常务兼SK海力士（SK Hynix）前副社长崔珍奭等人则已被捕，他们涉嫌违反「产业技术保护法」及「防止不正当竞争及商业秘密保护法」。

这是首例适用韩国《就业保障法》调查并逮捕涉嫌技术泄露犯罪的经纪人的案件。韩国《就业保障法》规定，经营者在开展海外就业安置业务时，必须获得雇佣劳动部长官的许可才能开展业务。

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